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1、低温多晶硅；LTPS)薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)在封装过程中使用准分子激光作为热源。激光束通过投影系统后，会产生能量分布均匀的激光束，投射到非晶硅结构的玻璃衬底上。非晶硅结构的玻璃衬底吸收准分子激光的能量后，会转变为多晶硅结构。由于整个加工过程在600以下完成，因此可以应用于一般的玻璃基板。

2、LTPSTFT液晶显示器具有分辨率高、反应速度快、亮度高、开口率高等优点。此外，由于LTPSTFTLCD的硅晶体排列比a-Si更有序，电子迁移率相对高于100倍。外围驱动电路可以同时制作在玻璃基板上，从而达到系统集成的目的，节省空间，驱动IC成本。

3、同时，由于驱动器IC电路直接制作在面板上，因此可以减少元件的外部接触，增加可靠性，维护更简单，可以缩短组装工艺时间，降低EMI特性，从而减少应用系统的设计时间，扩大设计自由度。

4、LTPSTFTLCD的最高技术是面板系统。第一代LTPS-TFTLCD使用内置驱动电路和高性能像素晶体管来实现高分辨率和高亮度，这使得LTPS-TFTLCD和a-Si有了很大的不同。

5、通过电路技术的进步，第二代LTPSTFTLCD已经从模拟接口变为数字接口，以降低功耗。这一代LTPS-TFTLCD的载流子迁移率是A-SiTFT的100倍，电极图形的线宽在4m左右，没有充分利用LTPS-TFTLCD的特性。

6、第三代LTPSTFTLCD在外围LSI集成方面比第二代更加完整。其目的是：(1)没有外围零件，模块可以更薄更轻，零件数量和组装时间也可以减少；(2)简化信号处理可以降低功耗；(3)携带内存可以最小化功耗。

7、LTPSTFTLCD液晶显示器具有高分辨率、高色彩饱和度和低成本的优点，因此有望成为新的显示浪潮。凭借高电路集成度和低成本的优势，在中小尺寸显示面板的应用中具有绝对优势。

8、然而，目前p-SiTFT存在两个问题。第一，TFT的关态电流(即漏电流)大(Ioff=nuVdW/L)；其次，低温下难以大面积制备高迁移率p-Si材料，工艺难度大。

9、它是由TFTLCD发展而来的新一代技术产品。LTPS屏是在传统非晶硅(a-Si)TFT-LCD面板上增加激光处理工艺制造而成，元器件数量可减少40%，连接部分可减少95%，大大降低了产品失效的概率。这种屏幕在能耗和耐用性方面有很大的提高，水平和垂直视角为170度，显示响应时间为12ms，显示亮度为500尼特，对比度为500:1。

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